RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3666
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link