RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
41
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2870
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link