RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3559
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link