RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
65
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1921
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link