RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3294
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link