RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2516
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link