RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3409
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link