RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3402
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link