RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3077
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link