RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3166
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link