RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3216
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link