RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
4380
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link