RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
33
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
19
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3075
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link