RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3742
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link