RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3660
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link