RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3291
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link