RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2951
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link