RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
76
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
76
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1859
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link