RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3141
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link