RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3086
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link