RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2169
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link