RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2235
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link