RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2761
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link