RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3168
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link