RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3040
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link