RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2369
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link