RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2388
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link