RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2744
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link