RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3741
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link