RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2864
2987
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link