RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
77
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1517
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link