RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3324
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link