RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3344
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link