RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2865
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link