RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3045
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link