RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3668
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link