RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1617
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link