RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2981
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link