RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2186
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link