RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2575
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link