RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
1254
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link