RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2601
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link