RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
65
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
1921
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link