RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3317
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 99U5471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link