RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3060
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link