RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2476
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link