RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3392
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link