RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3049
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link