RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2704
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link