RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2346
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link